這個(gè)反電動(dòng)勢(shì)可以對(duì)電容進(jìn)行充電。這樣，正極的電壓也不會(huì)上升。如下圖：坦白說(shuō)，上面的這個(gè)解釋節(jié)我寫得不是很有信心，我希望有高人出來(lái)指點(diǎn)一下。歡迎朋友在評(píng)論中留言。我會(huì)在后面寫《變頻器的輸出電流》一節(jié)中，通過(guò)實(shí)際的電流照片，驗(yàn)證這個(gè)二極管的作用。現(xiàn)在來(lái)解釋在《變頻器整流部分元件》中說(shuō)，在《電流整流的方式分類》中講的“也可以用IGBT進(jìn)行整流”有問(wèn)題的。IGBT,通常就是一個(gè)元件，它不帶續(xù)流二極管。即是這個(gè)符號(hào)：商用IGBT模塊，都是將“IGBT+續(xù)流二極管”集成在一個(gè)整體部件中，即下面的這個(gè)符號(hào)。在工廠中，我們稱這個(gè)整體部件叫IGBT，不會(huì)說(shuō)“IGBT模塊”。我們可以用“IGBT模塊”搭接一個(gè)橋式整流電路，利用它的續(xù)流二極管實(shí)現(xiàn)整流。這樣，我們說(shuō)：IGBT也可以進(jìn)行整流，也沒(méi)有錯(cuò)。但它的實(shí)質(zhì)，還是用的二極管實(shí)現(xiàn)了整流。既然是用了“IGBT模塊”上的“續(xù)流二極管”整流，為什么不直接用“二極管”呢？答案是：這一種設(shè)計(jì)是利用“IGBT”的通斷來(lái)治理變頻器工作時(shí)產(chǎn)生的“諧波”，這個(gè)原理以后寫文再講。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)控制大功率設(shè)備。廣東模塊零售價(jià)

本發(fā)明涉及電力電子開(kāi)關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種立式晶閘管模塊。背景技術(shù)：電力電子開(kāi)關(guān)是指利用電子電路以及電力電子器件實(shí)現(xiàn)電路通斷的運(yùn)行單元,至少包括一個(gè)可控的電子驅(qū)動(dòng)器件，如晶閘管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、繼電器等。其中，現(xiàn)有的晶閘管*能夠?qū)崿F(xiàn)單路控制，不利于晶閘管所在電力系統(tǒng)的投切控制。因此，針對(duì)上述問(wèn)題，有必要提出進(jìn)一步的解決方案。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種立式晶閘管模塊，其包括：外殼、蓋板、銅底板、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于所述外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元；所述晶閘管單元包括：壓塊、門極壓接式組件、導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板，所述壓塊設(shè)置于所述門極壓接式組件上，并通過(guò)所述門極壓接式組件對(duì)所述導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板施加壓合作用力，所述導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板依次設(shè)置于所述銅底板上；所述第二晶閘管單元包括：第二壓塊、第二門極壓接式組件、第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片，所述第二壓塊設(shè)置于所述第二門極壓接式組件上。廣東模塊零售價(jià)可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。

并通過(guò)所述第二門極壓接式組件對(duì)所述第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片施加壓合作用力，所述第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片依次設(shè)置于所述銅底板上。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，任一所述接頭包括：螺栓和螺母，所述螺栓與螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述銅底板通過(guò)硅凝膠對(duì)位于其上的導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、瓷板進(jìn)行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述銅底板通過(guò)硅凝膠對(duì)位于其上的第三導(dǎo)電片、鉬片、銀片、鋁片進(jìn)行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述壓塊和第二壓塊上還設(shè)置有絕緣套管。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進(jìn)，所述外殼上還設(shè)置有門極銅排安裝座。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過(guò)設(shè)置接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠?qū)崿F(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制，有效保證了電力系統(tǒng)的正常運(yùn)行。附圖說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地。

流過(guò)IGBT的電流值超過(guò)短路動(dòng)作電流，則立刻發(fā)生短路保護(hù)，門極驅(qū)動(dòng)電路，輸出故障信號(hào)。跟過(guò)流保護(hù)一樣，為避免發(fā)生過(guò)大的di/dt，大多數(shù)IPM采用兩級(jí)關(guān)斷模式。為縮短過(guò)流保護(hù)的電流檢測(cè)和故障動(dòng)作間的響應(yīng)時(shí)間，IPM內(nèi)部使用實(shí)時(shí)電流控制電路(RTC)，使響應(yīng)時(shí)間小于100ns，從而有效抑制了電流和功率峰值，提高了保護(hù)效果。當(dāng)IPM發(fā)生UV、OC、OT、SC中任一故障時(shí)，其故障輸出信號(hào)持續(xù)時(shí)間tFO為1．8ms(SC持續(xù)時(shí)間會(huì)長(zhǎng)一些)，此時(shí)間內(nèi)IPM會(huì)門極驅(qū)動(dòng)，關(guān)斷IPM;故障輸出信號(hào)持續(xù)時(shí)間結(jié)束后，IPM內(nèi)部自動(dòng)復(fù)位，門極驅(qū)動(dòng)通道開(kāi)放。可以看出，器件自身產(chǎn)生的故障信號(hào)是非保持性的，如果tFO結(jié)束后故障源仍舊沒(méi)有排除，IPM就會(huì)重復(fù)自動(dòng)保護(hù)的過(guò)程，反復(fù)動(dòng)作。過(guò)流、短路、過(guò)熱保護(hù)動(dòng)作都是非常惡劣的運(yùn)行狀況，應(yīng)避免其反復(fù)動(dòng)作，因此*靠IPM內(nèi)部保護(hù)電路還不能完全實(shí)現(xiàn)器件的自我保護(hù)。要使系統(tǒng)真正安全、可靠運(yùn)行，需要輔助的**保護(hù)電路。智能功率模塊電路設(shè)計(jì)編輯驅(qū)動(dòng)電路是IPM主電路和控制電路之間的接口，良好的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)對(duì)裝置的運(yùn)行效率、可靠性和安全性都有重要意義。IGBT的分立驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)IGBT的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)問(wèn)題亦即MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)問(wèn)題。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。

直流儀表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值小），但是輸出電流的有效值很大，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此，模塊應(yīng)選擇在**大導(dǎo)通角的65％以上工作，及控制電壓應(yīng)在5V以上。7、模塊規(guī)格的選取方法考慮到晶閘管產(chǎn)品一般都是非正弦電流，存在導(dǎo)通角的問(wèn)題并且負(fù)載電流有一定的波動(dòng)性和不穩(wěn)定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算：I>K×I負(fù)載×U**大?MU實(shí)際K：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K=，感性負(fù)載K=2；I負(fù)載：負(fù)載流過(guò)的**大電流；U實(shí)際：負(fù)載上的**小電壓；U**大：模塊能輸出的**大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的，單相整流模塊為輸入電壓的，其余規(guī)格均為）；I：需要選擇模塊的**小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短時(shí)過(guò)載能力，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在使用中必須配備散熱器和風(fēng)機(jī)，建議采用帶有過(guò)熱保護(hù)功能的產(chǎn)品，有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱。我們經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)算，確定了不同型號(hào)的產(chǎn)品所應(yīng)該配備的散熱器型號(hào)，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)。IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。廣東模塊零售價(jià)

已有適用于高壓變頻器的有電壓型HV-IGBT,igct,電流型sgct等。廣東模塊零售價(jià)

下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實(shí)施方式的平面示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖所示的各實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，這些實(shí)施方式并非對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所作的功能、方法、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。如圖1所示，本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括：外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元。其中，任一所述接頭均可與電力系統(tǒng)中一路電路相連接，并在晶閘管單元的控制下對(duì)所在電路進(jìn)行投切控制。所述晶閘管單元包括：壓塊7、門極壓接式組件8、導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11。其中，所述壓塊7設(shè)置于所述門極壓接式組件8上，并通過(guò)所述門極壓接式組件8對(duì)所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11施加壓合作用力，所述導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11依次設(shè)置于所述銅底板3上。廣東模塊零售價(jià)

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